Binciken Samarwa na SiC mai inci 2, mai girman inci 50.8mm, da kuma nau'in Silica mai siffar N.

Kayan substrate: 4H silicon carbide (4H-SiC)

Tsarin lu'ulu'u: tetrahexahedral (4H)

Shan ƙwayoyi: Ba a sha ba (4H-N)

Girman: inci 2

Nau'in watsawa: Nau'in N (n-doped)

Mai isar da wutar lantarki: Semiconductor

Hasashen Kasuwa: Wafers ɗin SiC marasa allurar 4H-N suna da fa'idodi da yawa, kamar ƙarfin lantarki mai yawa, ƙarancin asarar watsawa, juriya mai kyau ga zafin jiki, da kwanciyar hankali mai yawa na injiniya, don haka suna da fa'ida mai faɗi a kasuwa a cikin kayan lantarki na wutar lantarki da aikace-aikacen RF. Tare da haɓaka makamashi mai sabuntawa, motocin lantarki da sadarwa, akwai ƙaruwar buƙata ga na'urori masu inganci, aiki mai zafi da juriyar wutar lantarki mai yawa, wanda ke ba da dama ga kasuwa ga wafers ɗin SiC marasa allurar 4H-N.

Amfani: Ana iya amfani da wafers ɗin SiC mai inci 2 mai inci 4H-N waɗanda ba a yi musu allurar ba don ƙera nau'ikan na'urorin lantarki masu ƙarfi da na'urorin RF, gami da amma ba'a iyakance ga:

1--4H-SiC MOSFETs: Na'urorin transistors na ƙarfe oxide semiconductor don amfani da ƙarfin lantarki/zafi mai yawa. Waɗannan na'urori suna da ƙarancin asarar watsawa da sauyawa don samar da inganci da aminci mafi girma.

2--4H-SiC JFETs: Haɗakar FETs don amplifier na wutar lantarki na RF da aikace-aikacen sauyawa. Waɗannan na'urori suna ba da aiki mai yawa na mita da kwanciyar hankali mai zafi.

3--4H-SiC Schottky Diodes: Diodes don amfani da wutar lantarki mai yawa, zafi mai yawa, da kuma yawan amfani da mita mai yawa. Waɗannan na'urori suna ba da inganci mai yawa tare da ƙarancin wutar lantarki da asarar sauyawa.

Na'urorin Optoelectronic 4--4H-SiC: Na'urorin da ake amfani da su a fannoni kamar diodes na laser masu ƙarfi, na'urorin gano UV da kuma na'urorin haɗakar optoelectronic. Waɗannan na'urori suna da halaye masu ƙarfi da kuma mita.

A taƙaice, wafers ɗin SiC mai inci 2 masu inci 4H-N waɗanda ba a yi musu allurar rigakafi ba suna da damar yin amfani da nau'ikan aikace-aikace iri-iri, musamman a cikin na'urorin lantarki masu amfani da wutar lantarki da RF. Ingantaccen aikinsu da kwanciyar hankali mai zafi yana sa su zama masu fafatawa mai ƙarfi don maye gurbin kayan silicon na gargajiya don aikace-aikacen high-function, high-zafi da high-power.