Silicon carbide (SiC) ba wai kawai wata fasaha ce mai mahimmanci ga tsaron ƙasa ba, har ma da wani muhimmin abu ga masana'antun kera motoci da makamashi na duniya. A matsayin mataki na farko mai mahimmanci a cikin sarrafa simintin ...
A halin yanzu, yanke SiC ingot yana fuskantar manyan ƙalubale guda biyu:
- Babban asarar kayan aiki a cikin aikin yanke waya mai waya da yawa na gargajiya:Taurin SiC da karyewar sa yana sa ya yi saurin karkacewa da tsagewa yayin yankewa, niƙawa, da gogewa. A cewar bayanan Infineon, aikin yanka lu'u-lu'u da aka haɗa da resin mai yawa yana samun kashi 50% kawai na amfani da kayan yanka, tare da asarar wafer guda ɗaya da ta kai kusan 250 μm bayan gogewa, wanda hakan ke barin ƙarancin kayan da za a iya amfani da su.
- Ƙananan inganci da tsawon lokacin samarwa:Kididdigar samarwa ta duniya ta nuna cewa samar da wafers 10,000 ta amfani da aikin yanka waya mai tsawon sa'o'i 24 yana ɗaukar kimanin kwanaki 273. Wannan hanyar tana buƙatar kayan aiki da abubuwan amfani masu yawa yayin da take samar da tsatsa da gurɓataccen yanayi (ƙura, ruwan shara).
Domin magance waɗannan matsalolin, ƙungiyar Farfesa Xiu Xiangqian a Jami'ar Nanjing ta ƙirƙiro kayan aikin yanka laser masu inganci don SiC, suna amfani da fasahar laser mai sauri don rage lahani da haɓaka yawan aiki. Ga ingot na SiC mai girman mm 20, wannan fasaha tana ninka yawan amfanin wafer idan aka kwatanta da na'urar yanke waya ta gargajiya. Bugu da ƙari, wafers ɗin da aka yanka da laser suna nuna daidaiton geometric mafi kyau, wanda ke ba da damar rage kauri zuwa 200 μm a kowace wafer da kuma ƙara yawan fitarwa.
Muhimman Fa'idodi:
- An kammala bincike da haɓaka kayan aiki na manyan samfura, an tabbatar da an yanke wafers ɗin SiC mai inci 4-6 da ingots ɗin SiC mai inci 6.
- Ana tabbatar da yanke inci 8 na inci.
- Lokacin yankewa ya yi gajere sosai, yawan fitar da amfanin gona a kowace shekara, da kuma ci gaban amfanin gona sama da kashi 50%.
SiC substrate na nau'in 4H-N na XKH
Yiwuwar Kasuwa:
Wannan kayan aikin yana shirye ya zama babban mafita ga yanka inci 8 na SiC, wanda a halin yanzu ake amfani da shi wajen shigo da kayayyaki daga Japan tare da tsada mai yawa da kuma ƙuntatawa na fitar da kayayyaki. Bukatar kayan aikin yanka/rage laser na cikin gida ya wuce raka'a 1,000, duk da haka babu wani madadin da aka yi da Sin. Fasahar Jami'ar Nanjing tana da babban darajar kasuwa da kuma damar tattalin arziki.
Yarjejeniyar Kayan Aiki da Yawa:
Bayan SiC, kayan aikin suna tallafawa sarrafa gallium nitride (GaN), aluminum oxide (Al₂O₃), da lu'u-lu'u ta hanyar laser, wanda hakan ke faɗaɗa aikace-aikacensa na masana'antu.
Ta hanyar sauya fasalin sarrafa wafer na SiC, wannan sabon abu yana magance manyan matsaloli a masana'antar semiconductor yayin da yake daidaitawa da yanayin duniya na kayan aiki masu inganci da amfani da makamashi.
Kammalawa
A matsayinmu na jagora a masana'antar kera substrate na silicon carbide (SiC), XKH ta ƙware wajen samar da substrates na SiC masu girman inci 2-12 (gami da nau'in 4H-N/SEMI, nau'in 4H/6H/3C) waɗanda aka tsara don manyan fannoni kamar sabbin motocin makamashi (NEVs), ajiyar makamashi na photovoltaic (PV), da sadarwa ta 5G. Ta hanyar amfani da fasahar yankewa mai girman wafer mai ƙarancin asara da fasahar sarrafa inganci mai girma, mun sami nasarar samar da substrates masu girman inci 8 da ci gaba a cikin fasahar haɓaka lu'ulu'u na SiC mai inci 12, wanda hakan ke rage farashin guntu a kowane raka'a. A nan gaba, za mu ci gaba da inganta yanke laser na matakin ingot da hanyoyin sarrafa damuwa masu hankali don ɗaga yawan amfanin substrate mai inci 12 zuwa matakan gasa a duniya, tare da ƙarfafa masana'antar SiC ta cikin gida don karya ikon mallakar ƙasashen duniya da haɓaka aikace-aikacen da za a iya faɗaɗawa a manyan fannoni kamar kwakwalwan mota da kayayyakin wutar lantarki na uwar garken AI.
SiC substrate na nau'in 4H-N na XKH
Lokacin Saƙo: Agusta-15-2025